[发明专利]增强氟硅玻璃层稳定性的方法有效
申请号: | 200510075156.7 | 申请日: | 2005-06-08 |
公开(公告)号: | CN1781865A | 公开(公告)日: | 2006-06-07 |
发明(设计)人: | 蔡正原;周友华;林志隆 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | C03C17/22 | 分类号: | C03C17/22;C03C21/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明是有关于一种增强氟硅玻璃层稳定性的方法,其是在基材上提供氟硅玻璃层,并利用例如氢化磷(Phosphine;PH3)的含磷且含碳气体处理。此含磷且含氢气体形成反应性氢物质以及反应性磷物质其中反应性氢物质来移除氟原子团,而反应性磷物质则在此氟硅玻璃层上形成吸收水气且吸收离子的氧化磷薄膜。并且本发明能够预防或降低由原子团引起的缺陷造成氟硅玻璃层破坏的发生率。 | ||
搜索关键词: | 增强 玻璃 稳定性 方法 | ||
【主权项】:
1、一种增强氟硅玻璃层稳定性的方法,其特征在于其是以一临场方式进行,该增强氟硅玻璃层的方法至少包含:提供一基材;形成一氟硅玻璃层在该基材上;提供一含磷且含氢气体;以及藉由使该氟硅玻璃层暴露在该含磷且含氢气体中,以从该氟硅玻璃层移除复数个反应性氟物质并形成氧化磷薄膜在该氟硅玻璃层上。
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