[发明专利]多重闸极电荷捕捉非挥发性记忆体的制作方法

摘要

本发明是有关于一种多重闸极记忆胞的制作方法，此多重闸极记忆胞包括一半导体主体与多数个串联排列的闸极。形成多数个第一闸极，这些第一闸极间隔一闸极宽度。于闸极的侧壁上形成介电层。将第一闸极之间填满，以形成多数个第二闸极。在多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方形成电荷储存结构。形成电路系统以传导源极偏压与汲极偏压至位于多数个闸极中全部或一些闸极的每一个下方的半导体主体，包括形成传导闸极偏压至多数个闸极的电路系统。多重闸极记忆胞包括一连续的多重闸极通道区，此多重闸极通道区位于闸极列中的多数个闸极下方。在一些或全部的闸极之间，此多重闸极记忆胞具有电荷储存区。

主权项

1、一种集成电路记忆体元件的制作方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体主体，该半导体主体具有一第一导电型；于该半导体主体上形成一电荷储存结构；于该电荷储存结构上沉积一第一闸极导体层；图案化该第一闸极导体层以定义该电荷储存结构上多数个第一闸极，该些第一闸极以一间隙串联排列于连续一多重闸极通道区上，该多重闸极通道区位于该半导体主体中一第一电极区域与一第二电极区域之间；于该些第一闸极至少多数个侧壁上形成一绝缘层；以及于该绝缘层上沉积一第二闸极导体层，包括在该些第一闸极之间，并且以该绝缘层隔离该些第一闸极；于该半导体主体上定义多数个第二闸极，该些第一闸极与该些第二闸极串联排列于连续该多重闸极通道区上，以形成多重闸极记忆胞，其中该多重闸极通道区位于该半导体主体中该第一电极区域与该第二电极区域之间。