[发明专利]制备晶片的方法有效
| 申请号： | 200510075349.2 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1722367A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 克里斯托夫·马勒维尔;埃马纽埃尔·阿雷纳 | 申请（专利权）人： | Soitec公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备晶片的方法，该晶片含有单晶第一材料的基材和至少一层第二材料，所述第二材料外延生长于第一材料上，并且具有与第一材料不同的晶格。因此，本发明的目的是，提供一种上述类型的方法，用该方法可得到具有良好质量外延层的晶片，外延层生长在具有不同晶格的基材上。所述目的通过上述方法达到，所述方法的特征是第二材料的生长是在基材的最后表面抛光之前进行的。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 晶片 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备晶片(52、62)的方法，所述晶片含有单晶第一材料的基材(1)和至少一层第二材料(2、3)，第二材料外延生长在第一材料上并且具有与第一材料不同的晶格，其特征在于，第二材料的生长是在基材(1)的最后表面抛光之前进行的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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