[发明专利]静电放电引导组件及应用此组件的混合式电源的集成电路

摘要

一种组件，系应用于混合式电源的集成电路(mixed power integrated circuits)上，并用以耦接于不同的电源供应总线之间。此组件包括一二极管以及与此二极管串联的晶体管。晶体管系具有主动P型保护环(active p－ring)于半导体基底之中，并且围绕于晶体管的源极与漏极的四周。主动P型保护环系具有一与半导体基底具有相同导电性的传导区域(conductive region)。当ESD事件影响(affect)第一导体及第二导体时，与P型保护环耦接的控制电路系会施加一偏压电压，以将载子注入至半导体基底，并使短电压脉波(short voltage pulse)能够从二极管的阳极经由寄生于半导体基底之中的硅控整流器(SCR)而放电至晶体管的源极。

主权项

1.一种组件，该组件系用以耦接于一第一导体(conductor)与一第二导体之间，该组件包括：一二极管(diode)，该二极管系具有一阳极(anode)及一阴极(cathode)于一半导体基底(semiconductor substrate)之中，该二极管的该阳极系耦接至该第一导体；一晶体管(transistor)，该晶体管系具有一源极(source)及一漏极(drain)于该半导体基底之中，且该晶体管具有一栅极(gate)，该晶体管的该栅极系耦接至该晶体管的该源极与该第二导体；一植入区域(implant region)，系位于该半导体基底之中，该植入区域系包围(surround)该晶体管的该源极与该漏极；一连接器(connector)，用以电性耦接该二极管的该阴极与该晶体管的该漏极，该连接器系与该植入区域电性隔离；以及一控制电路，耦接至该植入区域，当一电压脉波(voltage pulse)影响(affect)该第一导体及该第二导体时，该控制电路系施加一偏压电压(bias voltage)至该植入区域，该控制电路所施加的该偏压电压系有助于将载子注入至该半导体基底，以使该电压脉波能够经由该半导体基底放电。