[发明专利]形成铁电体薄膜的方法无效
| 申请号： | 200510075559.1 | 申请日： | 2005-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN1769244A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 朴柱哲;崔时卿;郑元雄 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C04B41/50 | 分类号： | C04B41/50;C04B35/462;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张平元;赵仁临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成铁电体薄膜的方法，用于抑制a－畴的形成并提供充分的层覆盖。该方法包括将具有空切(miscut)表面的基材浸到反应溶液中，所述反应溶液包括钙钛矿型铁电体的前体化合物和水；及在低于钙钛矿型铁电体的相变温度的温度下，在反应溶液中进行水热反应，从而在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 铁电体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成铁电体薄膜的方法，包括利用水热反应过程，在基材的空切表面上形成钙钛矿型铁电体。
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