[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200510075912.6 | 申请日： | 2005-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN1722366A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 前川慎志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/336;G03F1/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种采用纳米压印方法制造半导体器件的方法，该半导体器件的成本可以降低。在本发明中，在半导体薄膜上依次形成栅绝缘膜、导电膜、和抗蚀剂，并在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂。因此，图形转移到抗蚀剂上，灰化被转移图形的抗蚀剂的表面，直到暴露导电膜的一部分，使用具有灰化的表面的抗蚀剂为掩模，并刻蚀导电膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括：在半导体膜上形成栅绝缘膜；在栅绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成抗蚀剂；在将形成了图形的模子压到抗蚀剂上的同时硬化抗蚀剂，以将图形转移到抗蚀剂；灰化图形转移到其上的抗蚀剂的表面，以暴露导电膜的一部分；以及使用灰化后的抗蚀剂为掩模刻蚀导电膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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