[发明专利]电子发射装置和防止静电电荷积聚的方法无效

专利信息
申请号: 200510075958.8 申请日: 2005-05-27
公开(公告)号: CN1722352A 公开(公告)日: 2006-01-18
发明(设计)人: 黄成渊 申请(专利权)人: 三星SDI株式会社
主分类号: H01J29/02 分类号: H01J29/02;H01J1/30;H01J3/02;H01J9/02
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种具有导电层的电子发射装置,该导电层用于防止在该装置的绝缘层上积聚静电荷,该装置不需独立的驱动电路。该装置包括阴极电极,该阴极电极形成于基板上且通过形成于阴极电极上的绝缘层与栅极电极分开。阴极和栅极电极的交点形成显示区域,而在易受静电荷积聚影响的绝缘层的非显示区形成导电层,平行于阴极或栅极电极,一般通过绝缘层与这些电极分开。在装置的真空室外,导电层电连接于它们对应的电极。由此形成和连接的导电层将装置内部绝缘层上的静电荷释放至外部电路。
搜索关键词: 电子 发射 装置 防止 静电 电荷 积聚 方法
【主权项】:
1.一种电子发射装置,包括:第一电极,形成于基板上,具有第一图案;绝缘层,形成于所述基板上,所述绝缘层覆盖所述第一电极;第二电极,形成于所述绝缘层上,具有第二图案;和至少两个导电层,形成于所述绝缘层的周边,平行于所述第一电极,所述导电层在周边之内部分地覆盖所述绝缘层,且在周边之外接触相应的第一电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星SDI株式会社,未经三星SDI株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510075958.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top