[发明专利]存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种存储器件及其制造方法。在一实施例中，存储器件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底中形成的第一区域，其中布置了多个存储晶体管；以及与所述第一区域相邻的第二区域，其中形成了用于为所述存储晶体管提供预定电压的选择晶体管。所述衬底的第二区域可以具有比除第二区域以外的整个衬底区域更高的杂质浓度。凭借缩短的沟道长度可以在不降低阈值电压的情况下，实现选择晶体管面积的减小。

主权项

1.一种存储器件，其包括：半导体衬底；在半导体衬底的一区域中界定的第一区域，所述第一区域具有布置于其上的多个存储晶体管；以及与所述第一区域相邻的第二区域，所述第二区域在半导体衬底中从其表面形成至预定深度，并且所述第二区域具有选择晶体管，用于为其上的多个存储晶体管中的至少一个提供预定电压；其中，所述衬底的第二区域具有比位于所述预定深度以下的衬底区域更高的杂质浓度。