[发明专利]半导体集成电路和运算放大器电路有效
| 申请号： | 200510075998.2 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1716763A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 日隈裕洋;宫下博之 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/45 | 分类号： | H03F3/45 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以抑制备用模式时产生的、由稳定性特性引起的MOS晶体管的特性退化，避免电路特性的退化的运算放大器电路。在运算放大器电路中，包括：连接在差动MOS晶体管(M3、M4)的反向栅极B与源极S之间的、连接用MOS晶体管(M10、M11)；连接在电源电位VDD与所述反向栅极B之间的偏压设定用MOS晶体管(M12)。(M10)是备用信号STB施加在栅极上的P沟道型MOS晶体管；(M11)是反向备用信号STBB施加在栅极的N沟道型MOS晶体管。另外，(M12)是反向备用信号STBB施加在栅极的P沟道型MOS晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 运算放大器 电路 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路，其特征在于，包括：第一MOS晶体管；第二MOS晶体管，其在平常工作时导通而向所述第一MOS晶体管供给来自第一电位的偏流，在备用模式时截止；开关电路，其在平常工作时，把所述第一MOS晶体管的反向栅极连接在其源极上，而在备用模式时，根据所述第一MOS晶体管的稳定性特性，把抑制其晶体管特性的时效的第二电位施加在所述反向栅极上。
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