[发明专利]半导体存储装置

摘要

在以规定的间距重复设置有在第1方向上延伸的1对布线的半导体存储装置中，具备按照规定模式的重复单位，设置有多个由栅极与1对布线中的一方布线相连接的MOS晶体管，和栅极与1对布线中的另一方布线相连接的MOS晶体管所构成的双晶体管的双晶体管群；双晶体管群的重复单位内，包括多个由两个MOS晶体管与第1方向相邻接配置而成的双晶体管，以及1个或多个由两个MOS晶体管在不邻接且偏斜的方向上相向设置而成的双晶体管。

主权项

1.一种半导体存储装置，以规定的间距重复设置有在第1方向上延伸的1对布线，其特征在于：按照下述方式构成：具备按照规定模式的重复单位，设置有多个由栅极与所述1对布线中的一方布线相连接的MOS晶体管，和栅极与所述1对布线中的另一方布线相连接的MOS晶体管所构成的双晶体管的双晶体管群，所述双晶体管群的重复单位内，包括多个由所述两个MOS晶体管与所述第1方向相邻接配置而成的双晶体管，以及1个或多个由所述两个MOS晶体管在不邻接且偏斜的方向上相向设置而成的双晶体管。