[发明专利]透明导电性膜有效
| 申请号： | 200510076019.5 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1707700A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 梨木智刚;菅原英男 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14;G02F1/1333;H05B33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;赵苏林 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电性膜，其包括：透明基体膜；厚度为10－100nm、折光率为1.40－1.80、平均表面粗糙度Ra为0.8－3.0nm和x为1.0－2.0的透明SiOx薄膜；和含有铟－锡复合氧化物、厚度为20－35nm、SnO2/(In2O3+SnO2)比例为3－15wt％的透明导电性薄膜，其中该透明导电性薄膜通过所述透明SiOx薄膜位于所述透明基体膜的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电性 | ||
【主权项】：
1、透明导电性膜，含有：透明基体膜；厚度为10-100nm、折光率为1.40-1.80、平均表面粗糙度Ra为0.8-3.0nm的透明SiOx薄膜，其中x为1.0-2.0；和含有铟-锡复合氧化物的透明导电性薄膜，其厚度为20-35nm，SnO2/(In2O3+SnO2)的比例为3-15wt％，其中透明导电性薄膜通过透明SiOx薄膜位于透明基体膜的一侧。
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