[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200510076022.7 | 申请日： | 2005-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN1705137A | 公开（公告）日： | 2005-12-07 |
| 发明（设计）人： | 岩松俊明;平野有一;一法师隆志 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种半导体装置，即使该半导体装置是微细化的装置，也可以防止栅极寄生电容增大。在NMOS区(NR)和PMOS区(PR)中，分别在MOS晶体管之间配设部分分离绝缘膜(PT1)，部分分离绝缘膜(PT1)具有从SOI层(3)的主面向上侧突出的部分的厚度比沟槽深度、即从SOI层(3)的主面向下延伸的部分的厚度厚、且部分分离绝缘膜(PT1)的下部的SOI层(3)的厚度比分离部厚的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：SOI衬底，具有作为基础的衬底部、配设在上述衬底部上的埋入氧化膜和配设在上述埋入氧化膜上的SOI层；第1和第2元件分离绝缘膜，分别配设在上述SOI层上的第1和第2区域内；以及第3元件分离绝缘膜，配设在上述第1区域和上述第2区域之间，上述第1和第2元件分离绝缘膜成为在其下部具有上述SOI层的部分沟槽分离结构，上述第3元件分离绝缘膜至少包含一部分贯通上述SOI层到达上述埋入氧化膜的完全沟槽分离结构，上述第1和第2元件分离绝缘膜具有从上述SOI层的主面向上侧突出的突出部的厚度比从上述SOI层的主面向下延伸的分离部的厚度厚的结构。
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