[发明专利]具有减少的寄生电容的MOS电容器无效
| 申请号： | 200510076121.5 | 申请日： | 2005-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN1707813A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·S·肖尔;爱德华多·玛艾彦;约拉姆·柏斯特 | 申请（专利权）人： | 赛芬半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 王英 |
| 地址： | 以色列*** | 国省代码： | 以色列;IL |
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| 摘要： | 一种电容器，该电容器包括：容性地耦合到第二有源层的第一有源层，第二有源层容性地耦合到第三层，第三层容性地耦合到第四层，其中电容器的阳极连接到第一和第二有源层中的一个，而电容器的阴极连接到第一和第二有源层中的另外一个，并且其中第三层为浮动的。第四层可以连接到电源电压，比如但不限于地。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 寄生 电容 mos 电容器 | ||
【主权项】：
1、一种电容器，包括：容性地耦合到第二有源层的第一有源层，所述第二有源层容性地耦合到第三层，所述第三层容性地耦合到第四层，其中该电容器的阳极连接到所述第一和第二有源层中的一个，并且该电容器的阴极连接到所述第一和第二有源层中的另外一个，并且其中使所述第三层浮动。
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