[发明专利]印刷晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 200510076153.5 | 申请日： | 2005-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN1707811A | 公开（公告）日： | 2005-12-14 |
| 发明（设计）人： | M·L·查比尼克;A·C·阿里亚斯 | 申请（专利权）人： | 帕洛阿尔托研究中心公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L21/8234;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郭广迅;庞立志 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过将改性剂涂层施加到源极和漏极触点和/或在这些触点之间的沟道区而形成晶体管。选择改性剂涂层以调整源极/漏极/沟道区中的表面能模式，使得半导体印刷液不从沟道区拖离。例如，可以选择用于触点的改性剂涂层使其具有和用于沟道区的改性剂涂层基本相同的表面能。由此沉积在沟道区的半导体印刷液原位沉积(由于缺少表面能差)并在触点之间形成相对厚的有源半导体区。作为选择，可以选择改性剂涂层使其具有比沟道区中的改性剂涂层更低的表面能，这实际上使半导体印刷液被拖至沟道区。 | ||
| 搜索关键词： | 印刷 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.第一晶体管，包括：在底层形成的源极触点；在底层形成的漏极触点，源极触点和漏极触点限定其间的沟道区；在源极触点上的第一改性剂涂层、在漏极触点上的第二改性剂涂层和覆盖沟道区中底层的第三改性剂涂层中的至少一个；以及在沟道区上延伸并与源极触点和漏极触点电接触的半导体区，其中半导体区与通过第一改性剂涂层与源极触点之一、第二改性剂涂层与漏极触点之一、第三改性剂涂层与底层之一形成的接收表面接触，以及其中选择第一改性剂涂层、第二改性剂涂层和第三改性剂涂层中的至少一个，使得在沟道区中的接收表面的第一部分的表面能分别大于或基本上等于接收表面分别在源极触点和漏极触点上的第二部分和第三部分的表面能。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于帕洛阿尔托研究中心公司，未经帕洛阿尔托研究中心公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510076153.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水可溶的美洛昔康颗粒
- 下一篇：压电液体惯性隔振器
- 同类专利
- 专利分类
