[发明专利]等离子体损害保护电路有效
申请号: | 200510076165.8 | 申请日: | 2005-06-08 |
公开(公告)号: | CN1790711A | 公开(公告)日: | 2006-06-21 |
发明(设计)人: | 黄俊仁;史毅骏;周铭宏 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 王志森;黄小临 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种等离子体损害保护电路,包括具有避免等离子体损害特性的一字线驱动器。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少字线驱动器传导至半导体衬底。另一等离子体损害保护电路包括连接多个字线驱动器的一组件。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少该组件传导至半导体衬底。因此,这些等离子体损害保护电路既可保护集成电路避免遭受等离子体工艺的损害又可节省集成电路的使用空间。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 损害 保护 电路 | ||
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:一半导体衬底;一存储器阵列,连接于该半导体衬底;多条字线,连接于该存储器阵列;以及多个字线驱动器,各该多个字线驱动器包括一组件,其中在存储器操作中,该组件耦接一电压到该多个字线驱动器的至少一字线;其中当制造中电荷产生于该字线时,该组件连接至该半导体衬底,且该电荷由该字线通过该组件传导至该半导体衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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