[发明专利]等离子体损害保护电路有效

专利信息
申请号: 200510076165.8 申请日: 2005-06-08
公开(公告)号: CN1790711A 公开(公告)日: 2006-06-21
发明(设计)人: 黄俊仁;史毅骏;周铭宏 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: H01L27/04 分类号: H01L27/04;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 王志森;黄小临
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种等离子体损害保护电路,包括具有避免等离子体损害特性的一字线驱动器。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少字线驱动器传导至半导体衬底。另一等离子体损害保护电路包括连接多个字线驱动器的一组件。当制造中等离子体处理于字在线产生电荷时,电荷可由字线通过至少该组件传导至半导体衬底。因此,这些等离子体损害保护电路既可保护集成电路避免遭受等离子体工艺的损害又可节省集成电路的使用空间。
搜索关键词: 等离子体 损害 保护 电路
【主权项】:
1.一种集成电路,包括:一半导体衬底;一存储器阵列,连接于该半导体衬底;多条字线,连接于该存储器阵列;以及多个字线驱动器,各该多个字线驱动器包括一组件,其中在存储器操作中,该组件耦接一电压到该多个字线驱动器的至少一字线;其中当制造中电荷产生于该字线时,该组件连接至该半导体衬底,且该电荷由该字线通过该组件传导至该半导体衬底。
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