[发明专利]移除阻挡层后的无晶片自动清洗有效
| 申请号： | 200510076202.5 | 申请日： | 2005-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN1691276A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | X·S·姚;B·－M·殷;T·韩;P·勒温哈德特 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/311;B08B5/00;B08B9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供用于在电介质层上形成特征、并且为多个晶片打开阻挡层、以及在处理并移除多个晶片中的各晶片之后清洗蚀刻室的方法。将多个晶片中的晶片放入蚀刻室中，其中在晶片上有阻挡层，并且在阻挡层上有电介质层。蚀刻电介质层。打开阻挡层。从蚀刻室移除晶片。提供没有晶片的蚀刻室的无晶片自动清洗。无晶片自动清洗包括给蚀刻室提供包括氧气和氮气的无晶片自动清洗气体，以及从无晶片自动清洗气体形成无晶片自动清洗等离子体以清洗蚀刻室。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 晶片 自动 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种用于在电介质层上形成特征和为多个晶片打开阻挡层、以及在处理并移除多个晶片中的各晶片后清洗蚀刻室的方法，包括：将多个晶片中的晶片放入蚀刻室内，其中所述晶片具有位于其上的阻挡层，并且在所述阻挡层上有电介质层；蚀刻所述电介质层；打开所述阻挡层；从所述蚀刻室移除所述晶片；以及提供没有所述晶片的所述蚀刻室的无晶片自动清洗，包括：给所述蚀刻室提供包括氧气和氮气的无晶片自动清洗气体；以及从所述无晶片自动清洗气体形成无晶片自动清洗等离子体以清洗所述蚀刻室。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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