[发明专利]用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200510076232.6 | 申请日： | 2005-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1691277A | 公开（公告）日： | 2005-11-02 |
| 发明（设计）人： | 小久保千穗;山崎舜平;高野圭惠;入江裕明 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;梁永 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 当利用激光辐照半导体膜时，半导体膜被瞬间熔化并局部膨胀。为了减小由这种膨胀所产生的内部应力，在半导体膜中局部地产生应变。因此，在存在应变的部分和不存在应变的部分引起了变化，并且变化也由应变程度的不同而引起。根据本发明，在激光辐照之后，通过使用包含臭氧的溶液(典型的，臭氧水)形成氧化膜(称作化学氧化物)以形成1至10nm总膜厚的氧化膜，并且，进行用于减小半导体膜的应变的热处理(瞬间加热半导体膜到大约400至1000℃的热处理)。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在绝缘表面上形成第一半导体膜；利用激光辐照第一半导体膜；在第一半导体膜的表面上形成氧化膜；通过构图第一半导体膜形成第二半导体膜；通过使用包含臭氧的溶液氧化第二半导体膜的表面；和加热第二半导体膜用于形成第三半导体膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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