[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 200510076386.5 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1822392A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 田村直义;岛宗洋介;畑田明良;片上朗;岛昌司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;郑特强 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：栅电极，经由栅极绝缘膜形成在与沟道区域对应的硅衬底上；p型源极和漏极区域，形成在栅电极上的侧壁绝缘膜各外侧的硅衬底中；一对SiGe混晶区域，形成在侧壁绝缘膜各外侧的硅衬底中且与硅衬底为外延关系，以便分别被源极区域和漏极区域围绕，每个所述SiGe混晶区域生长到栅极绝缘膜和硅衬底之间的栅极绝缘膜界面的水平面之上的水平面，其中在SiGe混晶区域的各上表面上设置压应力膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于：硅衬底，具有由器件隔离区域限定的器件区域，并且在所述器件区域中包括沟道区域；栅电极，经由栅极绝缘膜形成在与所述沟道区域对应的所述硅衬底上，所述栅电极在其一对相对的侧壁表面上分别承载一对侧壁绝缘膜；P型源极和漏极延伸区域，跨越所述沟道区域形成在所述栅电极各横向侧的所述硅衬底中；P型源极和漏极区域，与所述源极延伸区域和所述漏极延伸区域连续地分别形成在所述侧壁绝缘膜各外侧的所述硅衬底中；以及一对SiGe混晶区域，形成在所述侧壁绝缘膜各外侧的所述硅衬底中且与所述硅衬底为外延关系，以便分别被所述源极区域和所述漏极区域围绕；每个所述SiGe混晶区域生长到所述栅极绝缘膜和所述硅衬底之间的栅极绝缘膜界面的水平面之上的水平面；其中，在所述一对SiGe混晶区域的各上表面上设置压应力膜。
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