[发明专利]具有盖部分的半导体晶片制造方法和半导体器件制造方法无效
申请号: | 200510076445.9 | 申请日: | 2005-06-15 |
公开(公告)号: | CN1713392A | 公开(公告)日: | 2005-12-28 |
发明(设计)人: | 星加正人 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L23/02 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳;张志醒 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在其中形成有多个半导体元件的半导体晶片上形成包含光硬化粘结剂和热硬化粘结剂的粘结层。通过选择性地暴露粘结层至光下并硬化在每个半导体元件的周围部分上的粘结层中包含的光硬化粘结剂而将粘结层和半导体晶片粘结在一起。通过显影光硬化粘结剂,去除未曝光的区域中的粘结层。对于每个半导体元件确定粘结层的图案是否是满意的。在被确定为满意的半导体元件的粘结层上设置盖部分,通过加热粘结层并且导致包含在粘结层中的热硬化粘结剂表现出粘结性而把粘结层和盖部分粘结在一起。 | ||
搜索关键词: | 具有 部分 半导体 晶片 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有盖部分的半导体晶片的制造方法,包括:用于在其中形成有多个半导体元件的半导体晶片上形成包含光硬化粘结剂和热硬化粘结剂的粘结层的粘结层形成步骤;用于通过选择性地暴露粘结层至光下并硬化在每个半导体元件的周围部分上的粘结层中包含的光硬化粘结剂而将粘结层和半导体晶片粘结在一起的第一粘结步骤;用于通过显影粘结层并去除在光硬化粘结剂没有硬化的区域中的粘结层而构图粘结层的显影步骤;用于检查每个半导体元件以确定已构图的粘结层是否是满意的检查步骤;用于在检查步骤中被确定为满意的半导体元件的粘结层上放置盖部分的盖部分放置步骤;和用于通过加热粘结层并导致包含在粘结层中的热硬化粘结剂表现出粘结性而把粘结层和盖部分粘结在一起的第二粘结步骤。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏普株式会社,未经夏普株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510076445.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的