[发明专利]标准单元、标准单元库和半导体集成电路有效
| 申请号： | 200510076450.X | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1710711A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 矢野纯一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在本发明的标准单元中，具有与其它晶体管不同的栅极长度的晶体管两邻的晶体管中的至少一方的晶体管总是处于截止状态。因此，即便栅极完工尺寸零散，对标准单元的工作也没有影响，能够抑制标准单元的特性零散。 | ||
| 搜索关键词： | 标准 单元 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1、一种标准单元，包括多个晶体管，该多个晶体管具有设置在半导体层的一部分上的扩散区域和设置在所述扩散区域上的栅极，其特征在于，所述多个晶体管中的至少一个的第一晶体管的栅极长度比其它晶体管的栅极长度要大；所述第一晶体管与作为设置在所述第一晶体管两邻的晶体管中的至少一方的第二晶体管共有扩散区域，所述第二晶体管处于截止状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
