[发明专利]半导体保护装置有效
| 申请号： | 200510076476.4 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1713379A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 高桥幸雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种用于在半导体集成电路中有效地保护内部电路的半导体保护装置，其中形成N型扩散层，从而包围P+掺杂扩散层。由于N型扩散层的形成，导致寄生二极管周围的N型杂质浓度增大，从而设置与集电极相连的寄生二极管的击穿电压，使其低于与发射极相连的寄生二极管的击穿电压。换句话说，根据可用二极管外围的杂质浓度的高或低来确定二极管击穿电压，并且杂质浓度越高，则击穿电压越低。因此，促进了连接在高电位电源和低电位电源之间的寄生二极管的箝位，以使电流能够容易地按照相反的方向流动，以便能够防止内部电路受到从电源端子施加的静电的损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种保护内部电路的保护装置，其特征在于包括：第一电源线；第二电源线；与所述内部电路相连的信号线；双极晶体管，其具有所述第一电源线和所述第二电源线之间的电流路径，以及与所述第一电源线相连的控制节点；第一寄生二极管，连接在所述第一电源线和所述信号线之间，并且具有第一击穿电压；以及第二寄生二极管，连接在所述第一电源线和所述第二电源线之间，并且具有低于所述第一击穿电压的第二击穿电压。
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