[发明专利]具有多晶硅插头的半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510076488.7 | 申请日： | 2005-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN1710712A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 小此木坚祐;大汤静宪;真锅和孝;山田悟;大桥拓夫 | 申请（专利权）人： | 尔必达存储器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在硅衬底上制造DRAM器件的方法，包括：形成存储单元区域中的单元晶体管和外围电路区域中的其他晶体管；形成与单元晶体管的扩散区域相连的多晶硅插头和与其他晶体管的扩散区域相连的金属插头；在980到1020摄氏度的温度下进行处理；在700到850摄氏度的温度下进行处理；将氟或氟化硼注入其他晶体管的扩散区域；以及在500到850摄氏度的温度下进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 多晶 插头 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，顺序包括：在硅衬底上形成具有与多晶硅插头相连的扩散区域的晶体管；在衬底温度为980到1020摄氏度的第一热处理中，对所述硅衬底进行处理；以及在衬底温度为700到850摄氏度的第二热处理中，对所述硅衬底进行处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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