[发明专利]可降低光漏电流的薄膜晶体管显示组件及其制造方法有效
申请号: | 200510076593.0 | 申请日: | 2005-06-09 |
公开(公告)号: | CN1687839A | 公开(公告)日: | 2005-10-26 |
发明(设计)人: | 陈东佑;李刘中 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/027 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 陈亮 |
地址: | 台湾省新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种显示组件,包括形成于一基板上的一栅极、覆盖栅极的一栅极绝缘层、一栅极非晶硅区、一源极金属区、一漏极金属区、一数据线金属区、一保护层和一导电层。栅极非晶硅区系形成于栅极绝缘层上且对应地位于栅极上方。源极金属区和一漏极金属区系形成于栅极非晶硅区上。数据线金属区系形成于栅极绝缘层上方,且数据线金属区和漏极金属区系相隔一间距。保护层系形成于栅极绝缘层上,并覆盖源极金属区、漏极金属区和数据线金属区,且保护层包括一第一介层洞(first via)及一第二介层洞(second via),以分别暴露数据线金属区的部分表面和漏极金属区的部分表面。导电层系形成于保护层上并覆盖第一介层洞和第二介层洞,以电性连接数据线金属区和漏极金属区。 | ||
搜索关键词: | 降低 漏电 薄膜晶体管 显示 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示组件,至少包括:一栅极(gate electrode),系形成于一基板上;一栅极绝缘层(gate insulating layer),系覆盖该栅极;一栅极非晶硅区(gate amorphous silicon region,g-aSi),系形成于该栅极绝缘层上且对应地位于该栅极上方;一源极金属区(source metal region)和一漏极金属区(drainmetal region),系形成于该栅极非晶硅区上;一数据线金属区(data-line(DL)metal region),系形成于该栅极绝缘层上方,且该数据线金属区和该漏极金属区系相隔一间距;一保护层(passivation layer),系形成于该栅极绝缘层上并覆盖该源极金属区、该漏极金属区和该数据线金属区,且该保护层包括一第一介层洞(first via)及一第二介层洞(second via),以分别暴露该数据线金属区的部分表面和该漏极金属区的部分表面;和一导电层,系形成于该保护层上并覆盖该第一介层洞和该第二介层洞以电性连接该数据线金属区和该漏极金属区。
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