[发明专利]高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法无效
| 申请号： | 200510076647.3 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1897250A | 公开（公告）日： | 2007-01-17 |
| 发明（设计）人： | 庄建祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/00;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高压晶体管、半导体晶体管及晶体管的制造方法，所述高压晶体管，包括第一主动区域、第二主动区域、第一低掺杂区域、以及第二低掺杂区域。该第一主动区域是设于一基底栅极的一第一侧。该第二主动区域，其是设于该基底的该栅极的一第二侧。该第一低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第一主动区域之间。该第二低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第二主动区域之间，其长度较该第一掺杂区域明显较长。本发明所述高压晶体管、半导体晶体管，能够承受高电压，且可节省空间并具有更高的制程兼容性。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 晶体管 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种高压晶体管，所述高压晶体管包括：一第一主动区域，其是设于一基底栅极的一第一侧；一第二主动区域，其是设于该基底的该栅极的一第二侧；一第一低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第一主动区域之间；以及一第二低掺杂区域，其是形成于该栅极与该第二主动区域之间，其长度较该第一掺杂区域明显较长。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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