[发明专利]等离子体化学气相沉积设备及用它制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200510076711.8 | 申请日： | 2005-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN1769517A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 辛东善;宋锡杓;安尚太 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/513 | 分类号： | C23C16/513;C23C16/44;H01L21/31;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨红梅 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用以在等离子体化学气相沉积(CVD)方法中使用的设备与一种用以使用此种设备制造半导体器件之方法被揭露。等离子体CVD设备包含：室；晶片，其底表面通过室内之静电卡盘而固定，且绝缘层通过等离子体CVD制程而沉积在其上；冷却气体入口，其通过静电卡盘，用以当等离子体CVD制程被实施时，供应冷却气体至晶片底表面；以及夹持单元，用以当冷却气体被供应时，将晶片夹持至静电卡盘。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 化学 沉积 设备 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体化学气相沉积(CVD)设备，包括：室；晶片，其底表面通过所述室内之静电卡盘而固定，且绝缘层通过等离子体CVD制程而沉积在其上；冷却气体入口，其通过静电卡盘，用以当等离子体CVD制程被实施时供应冷却气体至晶片底表面；以及夹持装置，用以当冷却气体被供应时，夹持晶片至静电卡盘。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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