[发明专利]位线感测放大器及具有它的半导体存储器件无效
申请号: | 200510076919.X | 申请日: | 2005-06-09 |
公开(公告)号: | CN1728279A | 公开(公告)日: | 2006-02-01 |
发明(设计)人: | 都昌镐 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C11/409 | 分类号: | G11C11/409;G11C7/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 杨红梅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 提供了一种可计算位线感测放大器之偏移电压的半导体存储器件。该半导体存储器件包括:单元阵列;边缘位线感测放大器,用以放大边缘单元阵列之数据;以及电源部,用以施加预定电压至该边缘位线感测放大器。所述电源部包括第一电源部,用以供应预定电压至边缘位线感测放大器之位线;以及第二电源部,用以供应预定电压至边缘位线感测放大器之互补位线。 | ||
搜索关键词: | 位线感测 放大器 具有 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】:
1.一种位线感测放大器,用以放大位线与互补位线间的电压差,所述位线和互补位线在数据读取操作中被施加有存储器单元之数据,该位线感测放大器包括:第一电源部,用以产生要施加至位线之第一电压;第二电源部,用以产生要施加至互补位线之第二电压;第一电源开关,用以开关第一电源部及位线;以及第二电源开关,用以开关第二电源部及互补位线。
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