[发明专利]可减小外围区域中临界尺度的半导体装置的制造方法

摘要

本发明揭示一种制造其中外围区域的临界尺度减小的半导体装置的方法。该方法包括下列步骤：在包含单元区域及外围区域的基板上形成氮化硅层；在该氮化硅层上形成氧氮化硅层；在该氧氮化硅层上形成线型光阻图案使得该单元区域中的光阻图案具有大于最终图案结构宽度的宽度且外围区域中的光阻图案具有可抑制图案坍塌发生的宽度；蚀刻该氧氮化硅层及该氮化硅层，藉由抑制聚合物产生直至剩余氧氮化硅层及剩余氮化硅层的宽度小于用作蚀刻掩模的光阻图案宽度；及过度蚀刻剩余氮化硅层。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，包括下列步骤：在分为单元区域及外围区域的基板上形成氮化硅层；在该氮化硅层上形成氧氮化硅层作为抗反射涂覆层；在该氧氮化硅层上形成线型光阻图案，使得该单元区域中的光阻图案具有大于最终图案结构宽度的宽度且外围区域中的光阻图案具有抑制图案坍塌发生的宽度；使用该光阻图案作为蚀刻掩模，依序蚀刻该氧氮化硅层及该氮化硅层，该蚀刻经由抑制聚合物产生而持续至剩余氧氮化硅层及剩余氮化硅层的宽度小于光阻图案的宽度；及过度蚀刻剩余氮化硅层。