[发明专利]用于制造CMOS图像传感器的方法

摘要

本发明提供了一种制造CMOS图像传感器的方法。该方法包括在限定有光电二极管区和逻辑区的半导体层上形成栅电极，使栅氧化膜介于半导体层和栅电极之间；在栅电极的两侧形成侧壁绝缘膜，之后在栅电极和绝缘膜的整个表面上形成自对准多晶硅化物防护膜；去除在逻辑区中形成的自对准多晶硅化物防护膜；以及去除通过去除自对准多晶硅化物防护膜而暴露的侧壁绝缘膜的一部分，从而暴露栅电极的上侧表面。

主权项

1.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括：在限定有光电二极管区和逻辑区的半导体层上形成栅电极，使一栅氧化膜介于所述半导体层和所述栅电极之间；在所述栅电极的两侧形成侧壁绝缘膜，之后在所述栅电极和绝缘膜的整个表面上形成自对准多晶硅化物防护膜；去除在所述逻辑区中形成的自对准多晶硅化物防护膜；以及去除通过去除所述自对准多晶硅化物防护膜而暴露的所述侧壁绝缘膜的一部分，从而暴露所述栅电极的上侧表面。