[发明专利]非易失性存储器件及其驱动方法无效
| 申请号： | 200510076948.6 | 申请日： | 2005-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN1716615A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 郑真孝 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;H01L29/78;H01L21/8247;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失性存储器件及其驱动方法。该非易失性存储器件包括：半导体衬底；源/漏结，形成在半导体衬底的预定表面区域中；主栅氧化层，形成在半导体衬底的表面上，并设置在所述源/漏结之间，主栅氧化层的一端包括第一比特电荷存储单元，该第一比特电荷存储单元包括第一隧道氧化层、第一势阱层、和第一耦合氧化层，以及，主栅氧化层的相对端包括第二比特电荷存储单元，该第二比特电荷存储单元包括第二隧道氧化层、第二势阱层、和第二耦合氧化层；以及主栅电极，形成在主栅氧化层上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：半导体衬底；源/漏结，形成在所述半导体衬底的预定表面区域中；主栅氧化层，形成在所述半导体衬底的表面上，并设置在所述源/漏结之间，所述主栅氧化层的一端包括第一比特电荷存储单元，所述第一比特电荷存储单元包括第一隧道氧化层、第一势阱层、和第一耦合氧化层，以及，所述主栅氧化层的相对端包括第二比特电荷存储单元，所述第二比特电荷存储单元包括第二隧道氧化层、第二势阱层、和第二耦合氧化层；以及主栅电极，形成在所述主栅氧化层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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