[发明专利]顶出光电极及其制备方法无效
申请号: | 200510077057.2 | 申请日: | 2005-06-15 |
公开(公告)号: | CN1881646A | 公开(公告)日: | 2006-12-20 |
发明(设计)人: | 冉广照;马国立;秦国刚;乔永平;徐爱国 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | H01L51/10 | 分类号: | H01L51/10;H01L51/40;H01L33/00;H05B33/26;H05B33/10 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 关畅 |
地址: | 100871北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其中,有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10-5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层,并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料,可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素,方法简单实用,与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比,本发明电极发光效率提高6-8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光,以及光电器件和光探测器等方面。 | ||
搜索关键词: | 顶出光 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其特征在于:所述有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学,未经北京大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510077057.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:积分卡发行信息生成装置及方法
- 下一篇:微孔MgAlON复合刚玉材料制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择