[发明专利]顶出光电极及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200510077057.2 申请日: 2005-06-15
公开(公告)号: CN1881646A 公开(公告)日: 2006-12-20
发明(设计)人: 冉广照;马国立;秦国刚;乔永平;徐爱国 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L51/10 分类号: H01L51/10;H01L51/40;H01L33/00;H05B33/26;H05B33/10
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 关畅
地址: 100871北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明所提供的顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其中,有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10-5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属的浓度梯度层,并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料,可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素,方法简单实用,与采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比,本发明电极发光效率提高6-8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄膜和半导体发光,以及光电器件和光探测器等方面。
搜索关键词: 顶出光 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
1、顶出光电极,包括衬底和位于衬底上的有机发光层,其特征在于:所述有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层,所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100%至0%。
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