[发明专利]有机半导体元件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200510077091.X 申请日: 2005-06-15
公开(公告)号: CN1713407A 公开(公告)日: 2005-12-28
发明(设计)人: 田窪知章;青木秀夫;山口直子 申请(专利权)人: 株式会社东芝
主分类号: H01L51/00 分类号: H01L51/00;H01L51/20;H01L51/40;H01L29/786
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种有机半导体元件,具备有机半导体层,和向该有机半导体层供给电流或电场的电极。有机半导体层由有机半导体粒子的热熔粘层构成。有机半导体粒子的热熔粘层,例如采用电子照相方式使有机半导体粒子附着在成为衬底的层上后,通过加热该有机半导体粒子的附着层而使其热熔粘而形成。采用如此的有机半导体元件及其制造方法,能够在不损伤元件结构的微细化或利用直接描绘的低成本性等的情况下,提高元件制造效率。
搜索关键词: 有机半导体 元件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种有机半导体元件,其特征在于,具备:有机半导体层,具有有机半导体粒子的热熔粘层;和电极,向所述有机半导体层供给电流或电场。
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