[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200510077117.0 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1713355A | 公开（公告）日： | 2005-12-28 |
| 发明（设计）人： | 舟桥伦正;小俣茂;当麻信明;福岛政俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，该半导体器件的半导体制造装置能从由无声放电产生的臭氧中去除源自电极的金属。在臭氧产生单元中由电极之间的无声放电所产生的臭氧，基于构成过滤器的分子渗透膜前后之间的压力差，透过分子渗透膜。透过的臭氧与分开产生的水蒸气一起被提供到半导体晶片上的抗蚀剂表面来去除抗蚀剂。在上述的抗蚀剂去除中，能防止由源自电极的金属所造成的高浓度金属污染。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：用来去除金属的金属去除步骤，利用压力差使处理半导体晶片的气体透过允许上述气体透过而不允许包含在上述气体中的金属透过的分子渗透膜；以及气体处理步骤，使用去除了上述金属的上述气体来处理上述半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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