[发明专利]电荷捕获非易失性存储器的编程操作方法

摘要

一种电荷储存存储单元(如NROM或浮置栅极快闪存储单元)的自收敛编程电路和方法。该方法包括：从两个以上的待存储于存储单元的数据值中确定一个数据值，并将一组预定栅极电压电平中对应所述确定数据值的一个栅极电压施加到控制栅极。控制编程参数，建立一个由选定的栅极电压确定的自收敛的阈值状态。采用上述方式，阈电压对应存储单元的确定数据值收敛在目标阈值。在各个实施例中，减少或消除了编程校验操作，从而减少了编程操作的整体时间并提高了器件的性能。编程操作的第二部分可包括改善整个阵列阈值边际的校验操作。

主权项

1、一种对电荷储存存储单元进行编程的方法，该存储单元具有：在衬底上作为源极和漏极的第一和第二端子、一个电荷储存元件和一个控制栅，其特征在于该方法包括：执行一编程操作借助热电子注入电荷储存元件引发电荷转移，从而为存储单元建立一阈电压，该编程操作包括：在编程操作期间向该存储单元的第二端子施加一连串具有脉冲高度的漏极电压脉冲，该串漏极电压脉冲包括在所述编程操作的该部分中施加的第一组脉冲，在脉冲之间没有校验操作，以及在所述编程操作的一第二部分中施加第二组脉冲，并包括在第二组脉冲中的至少两个连续脉冲之间施加校验脉冲；相对于一参考电压向控制栅极施加一栅极电压、相对于该参考电压向第一端子施加一源极电压、并相对于该参考电压向第二端子施加一漏极电压；在编程操作的一个部分中保持栅极电压基本上恒定在一预定栅极电压组中对应该确定数据值的一个栅极电压，在该部分中电压阈值收敛到一个对应该确定数据值的目标阈值。