[发明专利]含铈的稀土钼电子发射材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200510077234.7 | 申请日： | 2005-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN1693284A | 公开（公告）日： | 2005-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王金淑;刘伟;周美玲 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/50 | 分类号： | C04B35/50;C04B35/624 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100022*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属稀土难熔金属阴极材料领域。现有阴极材料无法满足较高阴极发射能力的电子管和磁控管的要求。本发明材料特征在于：含有占总重4－30％wt的稀土氧化物Ce2O3或Ce2O3、Y2O3的组合，其余为钼。其制备方法：在钼酸铵水溶液中加入稀土硝酸盐水溶液，用量按稀土氧化物占稀土钼粉总质量4－30％wt，然后加入柠檬酸溶液，60－90℃水浴后于100－150℃烘干形成凝胶；500－550℃、大气气氛下，去除胶体中的C和N元素；在氢气气氛下进行还原，第一步为500－550℃，保温2－4小时；第二步还原温度为900－1000℃，时间为1－2小时，获得稀土钼粉，然后用粉末冶金方法制备本发明材料。其次级发射系数高于含镧的阴极材料；最大次级发射系数对应的激活温度低于含镧阴极材料的最佳激活温度。 | ||
| 搜索关键词： | 稀土 电子 发射 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、含铈的稀土钼电子发射材料，其特征在于：含有Ce2O3一种稀土氧化物或Ce2O3、Y2O3两种稀土氧化物的组合，上述稀土氧化物占该发射材料总重量的4-30％wt，其余为钼。
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