[发明专利]极坐标激光直写系统单线触发解析对准方法无效
申请号: | 200510077455.4 | 申请日: | 2005-06-23 |
公开(公告)号: | CN1719298A | 公开(公告)日: | 2006-01-11 |
发明(设计)人: | 刘俭;谭久彬;杨文国;金国良;邱丽蓉;邹丽敏;赵晨光 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G02B7/02 | 分类号: | G02B7/02;B23K26/02 |
代理公司: | 北京英特普罗知识产权代理有限公司 | 代理人: | 齐永红 |
地址: | 150080黑*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明公开了一种极坐标激光直写系统单线触发解析对准方法,该方法借助极坐标激光直写系统的差动像散检焦装置和精密定位驱动机构与伺服反馈系统,利用一块带有单刻线的基片实现直写光轴与工作台回转轴的精密对准。其中,单刻线基片包括一条刻线,基片表面经过离心涂胶,刻线宽度略大于或等于检焦光斑直径,刻线深度大于直写物镜焦深;本发明在极坐标直写系统中利用已有的检焦装置、精密定位装置,再借助一块带有刻线的基片就可以实现对准,不需要在直写系统中额外增添CCD探测器等器件或机构,具有结构简单、操作方便的优点。 | ||
搜索关键词: | 坐标 激光 系统 单线 触发 解析 对准 方法 | ||
【主权项】:
1.一种极坐标激光直写系统单线触发解析对准方法,该方法借助极坐标激光直写系统的差动像散检焦装置和精密定位驱动机构与伺服反馈系统,利用一块带有单刻线的基片实现直写光轴与工作台回转轴的精密对准;其中,单刻线基片包括一条刻线,基片表面经过离心涂胶,刻线宽度略大于或等于检焦光斑直径,刻线深度大于直写物镜焦深,所述方法包括以下步骤:(a)、借助极坐标激光直写系统的差动象散检焦装置,使光斑处于准焦状态;(b)、将单刻线基片固定在工作台上,使所述刻线处于光轴与回转轴之间,并使刻线垂直于直写光轴与工作台回转轴连线;(c)、旋转工作台,使检焦光斑切割基片上的刻线;(d)、将检焦光斑切割基片上刻线所产生的离焦信号作为记录角度值的触发信号,记录两次切割刻线触发时刻所对应的切割点与工作台回转轴构成的小于180°的圆心角的角度值;(e)、将直写光轴向远离工作台回转轴方向移动一个固定距离值;(f)、重复步骤(d),再次记录两次切割刻线的点与工作台回转轴夹角的小于180°的圆心角的角度值;(g)、借助步骤(d)、(f)测量得到夹角值和步骤(e)中移动光轴的已知距离值,依据测量原理中给出的三角函数关系,解析计算得到对准偏离量;(h)、由精密定位驱动机构与伺服反馈系统直接移动光轴,给出对准偏离量测量值的等值位移,完成光轴与回转轴的精确对准。
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