[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和平板显示器无效
| 申请号： | 200510077506.3 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1710721A | 公开（公告）日： | 2005-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李宪贞;具在本 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L51/20;H01L21/312;H01L21/28;H01L21/336;G02F1/1368;G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)、制造该TFT的方法以及具有该TFT的平板显示器(FPD)，其中，所述的TFT包括：衬底；栅电极，设置在衬底上；栅绝缘层，设置在栅电极上；源电极和漏电极，设置在栅绝缘层上并且与栅电极绝缘；和有机半导体层，接触源电极和漏电极并且与栅电极绝缘。在此，氧化部分被设置在与有机半导体层接触的源电极和漏电极的部分上，并且，氧化部分由功函数大于有机半导体层的HOMO能级的材料形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管，包括：衬底；栅电极，设置在衬底上；源电极和漏电极，设置在衬底上；栅绝缘层，设置在栅电极与源电极和漏电极之间；和有机半导体层，接触源电极和漏电极并且与栅电极绝缘，其中，在源电极和漏电极与有机半导体层接触的部分上形成有氧化部分。
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