[发明专利]结晶方法及其装置有效
| 申请号： | 200510077525.6 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1716529A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 俞载成 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/20;H01L21/268;G02F1/136;C30B13/22 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;梁挥 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在基板上结晶非晶硅薄膜的方法，包括在工作台上加载一基板，在该基板上具有非晶硅薄膜并具有第一和第二区域，通过在非晶硅薄膜的第一区域照射激光束执行第一结晶过程，通过以第一距离移动工作台对第一区域结晶，并通过在第二区域照射激光束执行第二结晶过程，通过以第二距离移动工作台对第二区域进行结晶。 | ||
| 搜索关键词： | 结晶 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1、一种在基板上结晶非晶硅薄膜的方法，包括：在工作台上加载一基板，在该基板上具有非晶硅薄膜并具有第一区域和第二区域；通过在所述非晶硅薄膜的第一区域照射激光束执行第一结晶过程，通过以第一距离移动工作台对第一区域结晶；以及通过在第二区域照射激光束执行第二结晶过程，通过以第二距离移动工作台对第二区域结晶。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
