[发明专利]等离子体处理装置、等离子体处理方法和滞波板无效
| 申请号： | 200510077566.5 | 申请日： | 2002-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN1700427A | 公开（公告）日： | 2005-11-23 |
| 发明（设计）人： | 大见忠弘;平山昌树;须川成利;后藤哲也 | 申请（专利权）人： | 大见忠弘;东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/31;H01L21/00;H05H1/46 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种使用了放射线槽天线的微波等离子体处理装置，由与滞波板(18)的热膨胀率接近的材料或通过在构成滞波板(18)的电介质板上附着金属来形成槽板(16)。提高天线中滞波板与构成微波辐射面的槽板之间的粘附性，防止异常放电。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 方法 滞波板 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理装置，具备：内部设有载置被处理基板的载置台的处理容器；产生微波并提供给所述处理容器的微波发生器；设置在该微波发生器和所述处理容器之间、缩短由所述微波发生器所提供微波的波长的滞波板；和将波长被该滞波板缩短后的微波向所述处理容器内的空间中辐射的微波辐射部件，其特征在于：在所述滞波板的至少上面和下面形成有金属层，所述微波辐射部件由所述滞波板表面上形成的所述金属层构成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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