[发明专利]多阶存储单元的编程方法有效
| 申请号： | 200510077659.8 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1885436A | 公开（公告）日： | 2006-12-27 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省新竹市新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多阶存储单元的编程方法，其先提供存储单元，此存储单元包括有第一存储位置与第二存储位置。然后，对此存储单元进行擦除步骤，以提高第一存储位置与第二存储位置的阈值电压值。接着，进行判断步骤，比较第一存储位置与第二存储位置所欲编程的第一编程状态与第二编程状态，以选择合适的编程的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多阶存储单元的编程方法，其特征是包括：提供存储单元，该存储单元包括有第一存储位置与第二存储位置，其中各该存储位置可存储n个位，而个别包含有2n个具有不同阈值电压值的状态，而且上述状态的阈值电压值由第1状态、第2状态......至第2n状态逐渐变小；对该存储单元进行擦除步骤，以提高该第一存储位置与该第二存储位置的阈值电压值，而使其大于上述状态的阈值电压值；以及进行判断步骤，比较该第一存储位置与该第二存储位置所欲编程的第一编程状态与第二编程状态，当该第一编程状态与该第二编程状态相同时，则对该存储单元进行双侧(Two-Side)编程步骤；当该第一编程状态与该第二编程状态中之一个为该第1状态，而另一个为该第1状态以外的其它状态时，则对该存储单元进行单侧(One-Side)编程步骤；当该第一编程状态与该第二编程状态不为该第1状态，且该两状态所对应的阈值电压值不相等时，则对该存储单元进行切换式双侧(Switched Two-Side)编程步骤。
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