[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200510077686.5 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1722387A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李载晳 | 申请（专利权）人： | 东部亚南半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/316;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在所公开的方法中，通过在与有源区直接接触的PMD衬层和隔层绝缘层中提供足够的H2，并随后在后续热处理中逐渐地使H2扩散，来去除有源区中的不饱和键。该方法包括：形成具有侧壁隔离物的栅电极，形成源区及漏区，通过在栅电极和源区及漏区之上顺序地形成SiO2:H层、SiON:H层、和SiN:H层来形成PMD衬层，在PMD衬层之上形成隔层绝缘层，以及通过N2退火或Ar退火使在PMD衬层和隔层绝缘层中的氢扩散至源区及漏区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底上形成具有侧壁隔离物的栅电极，以及在所述半导体衬底中形成源区及漏区；通过在所述栅电极和所述源区及漏区之上顺序地形成SiO2:H层、SiON:H层、和SiN:H层来形成PMD衬层；在所述PMD衬层之上形成隔层绝缘层；以及通过N2退火或Ar退火使在所述PMD衬层和所述隔层绝缘层中的氢扩散至所述源区及漏区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
