[发明专利]形成半导体器件的电容器的方法无效
| 申请号： | 200510077893.0 | 申请日： | 2005-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1722384A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李起正 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/82;H01L21/8239;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及形成半导体器件的电容器的方法，可获得所需的漏电流特性及充电电容。本发明方法包括下列步骤：在具有储存节点接触的半导体衬底上形成下电极，该下电极与储存节点接触相互连接；对所述的下电极进行等离子体氮化，用以在下电极的表面形成第一氮化膜；在包含第一氮化膜的下电极上形成La2O3电介质膜；对所述的La2O3电介质膜进行等离子体氮化，以在La2O3电介质膜的表面形成第二氮化膜；以及，在包含第二氮化膜的La2O3电介质膜上形成上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的电容器的方法，包括步骤：在具有储存节点接触的半导体衬底上形成下电极，从而该下电极与该储存节点接触相连接；等离子体氮化该下电极，从而在该下电极的表面上形成第一氮化膜；在包含该第一氮化膜的该下电极上形成La2O3电介质膜；等离子体氮化所述La2O3电介质膜，从而在该La2O3电介质膜的表面上形成第二氮化膜；以及在包含该第二氮化膜的该La2O3电介质膜上形成上电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
