[发明专利]低功率消耗的半导体存储器件有效
| 申请号： | 200510077925.7 | 申请日： | 2005-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN1716447A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 韩公钦;郭忠根;朴埈民 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邸万奎;黄小临 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种具有低功耗的半导体存储器件，其具有与多个位线对和多个字线相连接的存储单元阵列，以执行数据的读取或写入操作。所述器件包括用于供给第一电源电压的第一电源。而且，第二电源供给具有比第一电源电压低的电压电平的第二电源电压。此外，所述器件还包括标准地线。提升接地电路提供具有比标准地线的电压电平高的电压电平的提升接地电压。第一电力电路与第一电源和标准地线相连接，并响应于第一电源电压而工作。第二电力电路与第二电源和提升接地电路相连接，并响应于第二电源电压而工作。从而，可以降低功率和芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 消耗 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，具有与多个位线对和多个字线相连接的存储单元阵列，用于执行数据的读取或写入操作，所述半导体存储器件包括：第一电源，用于供给第一电源电压；第二电源，用于供给具有比第一电源电压低的电压电平的第二电源电压；标准地线，用于提供标准接地电压；提升接地电路，用于提供具有比标准接地电压高的电压电平的提升接地电压；第一电力电路，与第一电源和标准地线相连接，并响应于第一电源电压而工作；和第二电力电路，与第二电源和提升接地电路相连接，并响应于第二电源电压而工作。
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