[发明专利]晶片切割的方法无效
| 申请号： | 200510078053.6 | 申请日： | 2005-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN1881561A | 公开（公告）日： | 2006-12-20 |
| 发明（设计）人： | 杨辰雄;邵世丰;张宏达 | 申请（专利权）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶片切割的方法。首先，提供一元件晶片，并于该元件晶片的上表面形成一中介层。接着提供一承载晶片，并将该中介层固定于该承载晶片的表面。之后进行一切割工艺，以使该元件晶片形成多个晶粒，且此时该些晶粒仍固定于该中介层上。再后将该承载晶片自该中介层的表面移除，并将该些晶粒贴附于一扩张膜上，并去除该中介层。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶片切割的方法，包括：提供一元件晶片，且该元件晶片包括一元件区设于该元件晶片的上表面；于该元件晶片的上表面形成一中介层；提供一承载晶片，并将该中介层固定于该承载晶片的表面以使该元件晶片固定于该承载晶片上；自该元件晶片的下表面进行一切割工艺，以使该元件晶片形成多个晶粒，且此时该些晶粒仍固定于该中介层上；将该承载晶片自该中介层的表面移除，并将该些晶粒贴附于一扩张膜上；以及去除该中介层。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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