[发明专利]电子器件有效
申请号: | 200510078110.0 | 申请日: | 2000-11-30 |
公开(公告)号: | CN1722921A | 公开(公告)日: | 2006-01-18 |
发明(设计)人: | 小山润 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H05B33/12 | 分类号: | H05B33/12;G09G3/30 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 程天正;张志醒 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 提供一种电子器件,它可防止因连接到对置电极的大电功率外部开关所引起的频率特性的劣化和防止灰度等级数量的减少。该电子器件包括多条源信号线;多条栅信号线;多条电源供给线;多条电源控制线;和多个像素。每一多个像素包括开关薄膜晶体管;EL驱动薄膜晶体管;电源控制薄膜晶体管;和EL元件。其中,电源控制薄膜晶体管控制EL元件的阴极和阳极之间的电位差。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 | ||
【主权项】:
1.一种电致发光有源矩阵显示器,包括:多条源信号线;多条栅信号线;多条电源供给线;多条电源控制线;和以矩阵形式排列的多个像素,所述多个像素中的每一像素均包括:开关薄膜晶体管,EL驱动薄膜晶体管,电源控制薄膜晶体管,和EL元件,和其中:所述开关薄膜晶体管的源区和漏区之一电连接到所述多条源信号线之一,而另一个则电连接到所述EL驱动薄膜晶体管的栅电极;所述开关薄膜晶体管的栅电极电连接到所述栅信号线之一;所述EL驱动薄膜晶体管的源区和漏区之一电连接到所述多条电源供给线之一;所述电源控制薄膜晶体管控制所述EL元件的阴极和阳极之间的电位差;所述EL驱动薄膜晶体管的源区和漏区的另一个电连接到所述电源控制薄膜晶体管的源区和漏区之一;所述电源控制薄膜晶体管的源区和漏区的另一个电连接到所述EL元件的阳极和阴极之一;以及所述电源控制薄膜晶体管的栅电极电连接到所述多条电源控制线之一。
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