[发明专利]具有空腔的沟槽结构以及包括沟槽结构的电感器有效
| 申请号： | 200510078350.0 | 申请日： | 2005-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1722364A | 公开（公告）日： | 2006-01-18 |
| 发明（设计）人： | 郑周铉;郑喆浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/00;H01L27/01;H01F17/00;H01F37/00;H01F41/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及其内具有空腔的沟槽结构及电感器。在形成其内具有宽的空腔的沟槽结构的方法中，在衬底中形成具有第一宽度和第一深度的第一沟槽。第一沟槽用在第一沟槽中限定空腔的第一绝缘层图案填充。第二沟槽形成在第一沟槽上。第二沟槽具有比第一宽度宽的第二宽度以及比第一深度浅的第二深度。第二沟槽用第二绝缘层图案填充。在包括第一沟槽和第二沟槽的衬底上的绝缘间层之后，在第二沟槽被定位的绝缘间层的部分上形成导电线从而在沟槽结构之上形成电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空腔 沟槽 结构 以及 包括 电感器 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽结构，包括：形成在衬底中的具有第一宽度和第一深度的深沟槽，利用在该深沟槽中限定空腔的第一绝缘层图案填充该深沟槽；以及形成在所述深沟槽上的具有第二宽度和第二深度的浅沟槽，该浅沟槽用第二绝缘层图案填充，其中所述第二宽度比所述第一宽度充分地宽并且所述第二深度比所述第一深度充分地浅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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