[发明专利]铜箔的粗面化处理方法以及粗面化处理液有效
| 申请号： | 200510078567.1 | 申请日： | 2005-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN1715457A | 公开（公告）日： | 2006-01-04 |
| 发明（设计）人： | 森冈伸哲;赤岭尚志 | 申请（专利权）人： | 福田金属箔粉工业株式会社 |
| 主分类号： | C25D7/06 | 分类号： | C25D7/06;C25D3/38;H05K3/38 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱丹 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种铜箔的粗面化处理方法，包括：工序A：作为粗面化处理用的处理液，调制含有至少一种如下的粗面化添加物质的硫酸酸性溶液的工序，所述粗面化添加物质是在分子中含下记的化学结构且具有2个以上的环式结构的杂环化合物；工序B：使用所述硫酸酸性溶液，在极限电流密度以上的电流密度下对铜箔的单面或双面实施阴极处理，从而在所述铜箔表面上形成铜的突起状电沉积物。根据本发明，可提供在短时间内、在没有粗化粒子脱落的危险性的情况下得到均匀的粗化粒子，适于制造低粗糙度、与树脂等具有高密着力、对于薄箔生产效率也良好的粗面化处理方法。此外，还提供在这种铜箔的粗面化处理方法中使用的处理液。 | ||
| 搜索关键词： | 铜箔 粗面化 处理 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种铜箔的粗面化处理方法，是粗面化处理铜箔表面所用的方法，其特征在于，该方法包括工序A和工序B；工序A：作为粗面化处理用的处理液，调制含有至少一种如下的粗面化添加物质的硫酸酸性溶液的工序，所述粗面化添加物质是在分子中含下记的化学结构化1且具有2个以上的环式结构的杂环化合物；工序B：使用所述硫酸酸性溶液，在极限电流密度以上的电流密度下对铜箔的单面或双面实施阴极处理，从而在所述铜箔表面上形成铜的突起状电沉积物的工序。
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