[发明专利]半导体发光装置的制造方法无效

专利信息
申请号: 200510078575.6 申请日: 1997-12-26
公开(公告)号: CN1776925A 公开(公告)日: 2006-05-24
发明(设计)人: 井上登美男;真田研一;小屋贤一;福田康彦 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 汪惠民
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种半导体发光装置的制造方法,在包含在透明基板上形成半导体积层膜并且在半导体积层膜的表面上形成p侧电极和n侧电极的半导体发光元件、至少有二个独立的电极的附装元件、支撑附装元件可以向附装元件供给电力的基材,让附装元件与基材电连通搭载在基材上,半导体发光元件处于倒置状态搭载在附装元件上的倒装型半导体发光装置的制造方法中,其特征是包含下列工序:在半导体元件和附装元件的任一方的元件具有的电极上形成微型凸柱的工序;通过的微型凸柱,将半导体元件的p侧电极和n侧电极连接到附装元件的电极上的芯片连接工序。
搜索关键词: 半导体 发光 装置 制造 方法
【主权项】:
1.一种半导体发光装置的制造方法,在包含在透明基板上形成半导体积层膜并且在所述半导体积层膜的表面上形成p侧电极和n侧电极的半导体发光元件、至少有二个独立的电极的附装元件、支撑所述附装元件可以向所述附装元件供给电力的基材,让所述附装元件与所述基材电连通搭载在所述基材上,所述半导体发光元件处于倒置状态搭载在所述附装元件上的倒装型半导体发光装置的制造方法中,其特征是包含下列工序:在所述半导体元件和所述附装元件的任一方的元件具有的电极上形成微型凸柱的工序;通过所述的微型凸柱,将所述半导体元件的p侧电极和n侧电极连接到所述附装元件的电极上的芯片连接工序。
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