[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，在现有的半导体装置的制造方法中，在分离区域的形成区域形成凹部，在分离区域不形成平面，而存在配线层在凹部上方断线这样的问题。在本发明半导体装置的制造方法中，在除去用于SIT法的氧化硅膜(4)时，除去包覆槽(12)内壁的HTO膜(13)的一部分，在分离区域形成凹部(16)。然后，在包括凹部(16)的外延层(3)上面堆积TEOS膜(17)，并进行反复蚀刻，在凹部(16)中埋设绝缘隔离物(18)。由此，分离区域上面形成实质上的平坦面(15)，即使在分离区域的凹部上面形成配线层的情况下，也可以防止断线。另外，在分离区域形成实质上的平坦面(15)，可形成电容元件等无源元件。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在半导体层表面形成在所希望的区域设有开口部的第一绝缘膜，介由该开口部在所述半导体层上形成槽的工序；埋设所述槽形成第二绝缘膜，从该第二绝缘膜的表面形成沟道的工序；在所述第二绝缘膜上面形成第三绝缘膜后，在所述第三绝缘膜上面形成多晶硅膜，利用所述第三绝缘膜及所述多晶硅膜埋设所述沟道的工序；以所述第一绝缘膜为停止膜，研磨所述第二绝缘膜、所述第三绝缘膜及所述多晶硅膜的工序；在通过蚀刻除去所述第一绝缘膜时，除去所述第三绝缘膜的一部分，在形成的凹部形成绝缘隔离物的工序。