[发明专利]制造快闪存储器元件的方法无效
| 申请号： | 200510078642.4 | 申请日： | 2005-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1725470A | 公开（公告）日： | 2006-01-25 |
| 发明（设计）人： | 杨麟权 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种制造快闪存储器元件的方法，通过在存储器单元区中实施浅沟隔离(STI)工艺，使它通过形成场隔离膜而降低图案的深宽比从而减少由于高密度等离子体(HDP)的间隙填充缺陷，并避免隧道氧化物膜处的微笑现象从而改进快闪存储器元件的编程速度。该方法还通过形成场隔离膜在周围电路区执行自对准浅沟隔离(SA－STI)工艺，使它避免高和低电压栅极氧化物膜的特性退化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 闪存 元件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造快闪存储器元件方法，该方法包括：提供半导体衬底，其上衬垫氧化物膜形成在单元区中、低电压栅极氧化物膜形成在低电压域中、高电压栅极氧化物膜形成高电压域中；在所述低与高电压域中形成第一多晶硅膜；在包括所述第一多晶硅膜的整个结构上沉积衬垫氮化物膜；在所述单元区中，通过部分地构图所述衬垫氮化物膜、所述衬垫氧化物膜和所述半导体衬底而形成第一沟；分别在所述低和高电压域中，通过部分地构图所述衬垫氮化物膜、所述衬垫氧化物膜和所述半导体衬底而形成第二与第三沟；形成场隔离膜从而填充所述第一至第三沟；去除所述衬垫氮化物膜；在形成有所述场隔离膜的所述整个结构上形成隧道绝缘膜；以及通过在所述隧道绝缘膜上沉积并构图第二多晶硅膜形成浮置栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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