[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 200510078700.3 | 申请日: | 2005-06-28 |
公开(公告)号: | CN1716590A | 公开(公告)日: | 2006-01-04 |
发明(设计)人: | 东和幸;松永范昭 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L23/52 | 分类号: | H01L23/52;H01L27/00;H01L21/768;H01L21/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 与本发明的例子有关的半导体器件包括:多个芯片区域11,形成具有采用金属布线的多层布线构造的半导体集成电路,成为分别独立的芯片;多个芯片圈,具有采用金属布线的多层布线构造,分别包围多个芯片区域,其中,多个芯片圈12相互间电连接在一起。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:多个芯片区域,形成具有采用了金属布线的多层布线构造的半导体集成电路,分别成为独立的芯片;多个芯片圈,具有采用了上述金属布线的多层布线构造,分别包围上述多个芯片区域,其中,上述多个芯片圈相互间电连接。
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